Elixir 4 GB PC3-14900 DDR3 SDRAM RAM modul Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG

Elixir 4 GB PC3-14900 DDR3 SDRAM RAM modul Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG

Row: 1 - 4 GB PC3-14900 DDR3 SDRAM Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG -----

[Általános modul információ]
Modul száma: 1
Modul mérete: 4 GBytes
Memória típusa: DDR3 SDRAM
Modul típusa: Unbuffered DIMM (UDIMM)
Memória sebesség: 933.3 MHz (DDR3-1866 / PC3-14900)
Modul gyártója: Nanya Technology
Modul cikkszáma: M2X4G64CB8HG5N-DG
Modul felülvizsgálata: 0
Modul sorozatszáma: 1042713072 (F089263E)
Modul gyártási dátuma: Év: 2013, Hét: 11
A modul gyártási helye: 13
SDRAM gyártó: Nanya Technology
Hiba ellenőrzés/javítás: None
[Module characteristics]
Sor cím bitjei: 15
Oszlop cím bitjei: 10
Number Of Banks: 8
Modulsűrűség: 2048 Mb
Rangsorok száma: 2
Készülék szélessége: 8 bits
Bus Width: 64 bits
Modul névleges feszültsége (VDD): 1.5 V
[Module timing]
Minimum SDRAM Cycle Time (tCKmin): 1.250 ns
Támogatott CAS# késések: 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11
Minimális CAS# késleltetési idő (tAAmin): 13.125 ns
Minimális RAS#-tól CAS#-ig terjedő késleltetés (tRCDmin): 13.125 ns
Minimum Row Precharge Time (tRPmin): 13.125 ns
Minimum Active to Precharge Time (tRASmin): 35.000 ns
Támogatott modul időzítés 800.0 MHz: 11-11-11-28
Támogatott modul időzítés 666.7 MHz: 9-9-9-24
Támogatott modul időzítés 533.3 MHz: 7-7-7-19
Támogatott modul időzítés 400.0 MHz: 6-6-6-14
Támogatott modul időzítés 333.3 MHz: 5-5-5-12
Minimum Write Recovery Time (tWRmin): 15.000 ns
Minimum Row Active to Row Active Delay (tRRDmin): 6.000 ns
Minimum Active to Active/Refresh Time (tRCmin): 48.125 ns
Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFCmin): 160.000 ns
Minimum Internal Write to Read Command Delay (tWTRmin): 7.500 ns
Minimum Internal Read to Precharge Command Delay (tRTPmin): 7.500 ns
Minimum Four Activate Window Delay Time (tFAWmin): 30.000 ns
[Jellemzők]
Partial Array Self Refresh (PASR): Nem Támogatott
On-die Thermal Sensor (ODTS) Readout: Nem Támogatott
Auto Self Refresh (ASR): Támogatott
Extended Temperature 1X Refresh Rate: Nem Támogatott
Extended Temperature Range: Támogatott
Module Temperature Sensor: Nem Támogatott
Pseudo Target Row Refresh (pTRR): Nem Támogatott
Modul névleges magassága: 29 - 30 mm
Modul maximális vastagsága (elöl): 1 - 2 mm
Modul maximális vastagsága (hátsó): 1 - 2 mm
[Intel Extreme Memory Profile (XMP)]
XMP Revision: 1.2
[Enthusiast / Certified Profile [Enabled]]
VDD modul feszültségszintje: 1.50 V
Memóriavezérlő feszültségszintje: 1.50 V
Támogatott CAS# késések: 6, 9
Minimum SDRAM Cycle Time (tCKmin): 1.250 ns (800.0 MHz)
Minimum CAS Latency Time (tAAmin): 11.250 ns
Minimum RAS# to CAS# Delay Time (tRCDmin): 11.250 ns
Minimum Row Precharge Delay Time (tRPmin): 11.250 ns
Minimum Active to Precharge Delay Time (tRASmin): 35.000 ns
Minimum CAS Write Latency Time (tCWLmin): 11.250 ns
Minimum Write Recovery Time (tWRmin): 15.000 ns
Minimum Active to Active/Refresh Delay Time (tRCmin): 46.250 ns
Maximum tREFI Time (Average Periodic Refresh Interval): 4.000 us
Minimum Refresh Recovery Delay Time (tRFCmin): 160.000 ns
Minimum Internal Read to Precharge Command Delay Time (tRTPmin): 7.500 ns
Minimum Row Active to Row Active Delay Time (tRRDmin): 6.000 ns
Minimum Four Activate Window Delay Time (tFAWmin): 30.0 ns
Minimum Internal Write to Read Command Delay Time (tWTRmin): 7.500 ns
Támogatott modul időzítés 800.0 MHz: 9-9-9-28
Read to Write CMD Turn-around Time Optimization: No adjustment
Write to Read CMD Turn-around Time Optimization: No adjustment
Back 2 Back CMD Turn-around Time Optimization: No adjustment
Rendszerparancs sebesség mód: 2N
[Extreme Profile [Enabled]]
VDD modul feszültségszintje: 1.65 V
Memóriavezérlő feszültségszintje: 1.65 V
Támogatott CAS# késések: 6, 11
Minimum SDRAM Cycle Time (tCKmin): 1.071 ns (933.3 MHz)
Minimum CAS Latency Time (tAAmin): 11.786 ns
Minimum RAS# to CAS# Delay Time (tRCDmin): 11.786 ns
Minimum Row Precharge Delay Time (tRPmin): 11.786 ns
Minimum Active to Precharge Delay Time (tRASmin): 34.000 ns
Minimum CAS Write Latency Time (tCWLmin): 11.786 ns
Minimum Write Recovery Time (tWRmin): 15.000 ns
Minimum Active to Active/Refresh Delay Time (tRCmin): 45.786 ns
Maximum tREFI Time (Average Periodic Refresh Interval): 3.929 us
Minimum Refresh Recovery Delay Time (tRFCmin): 160.000 ns
Minimum Internal Read to Precharge Command Delay Time (tRTPmin): 7.500 ns
Minimum Row Active to Row Active Delay Time (tRRDmin): 6.000 ns
Minimum Four Activate Window Delay Time (tFAWmin): 30.0 ns
Minimum Internal Write to Read Command Delay Time (tWTRmin): 7.500 ns
Támogatott modul időzítés 933.3 MHz: 11-11-11-32
Read to Write CMD Turn-around Time Optimization: No adjustment
Write to Read CMD Turn-around Time Optimization: No adjustment
Back 2 Back CMD Turn-around Time Optimization: No adjustment
Rendszerparancs sebesség mód: 2N

Row: 3 - 4 GB PC3-14900 DDR3 SDRAM Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG -----

[Általános modul információ]
Modul száma: 3
Modul mérete: 4 GBytes
Memória típusa: DDR3 SDRAM
Modul típusa: Unbuffered DIMM (UDIMM)
Memória sebesség: 933.3 MHz (DDR3-1866 / PC3-14900)
Modul gyártója: Nanya Technology
Modul cikkszáma: M2X4G64CB8HG5N-DG
Modul felülvizsgálata: 0
Modul sorozatszáma: 1025930868 (7476263D)
Modul gyártási dátuma: Év: 2013, Hét: 11
A modul gyártási helye: 13
SDRAM gyártó: Nanya Technology
Hiba ellenőrzés/javítás: None
[Module characteristics]
Sor cím bitjei: 15
Oszlop cím bitjei: 10
Number Of Banks: 8
Modulsűrűség: 2048 Mb
Rangsorok száma: 2
Készülék szélessége: 8 bits
Bus Width: 64 bits
Modul névleges feszültsége (VDD): 1.5 V
[Module timing]
Minimum SDRAM Cycle Time (tCKmin): 1.250 ns
Támogatott CAS# késések: 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11
Minimális CAS# késleltetési idő (tAAmin): 13.125 ns
Minimális RAS#-tól CAS#-ig terjedő késleltetés (tRCDmin): 13.125 ns
Minimum Row Precharge Time (tRPmin): 13.125 ns
Minimum Active to Precharge Time (tRASmin): 35.000 ns
Támogatott modul időzítés 800.0 MHz: 11-11-11-28
Támogatott modul időzítés 666.7 MHz: 9-9-9-24
Támogatott modul időzítés 533.3 MHz: 7-7-7-19
Támogatott modul időzítés 400.0 MHz: 6-6-6-14
Támogatott modul időzítés 333.3 MHz: 5-5-5-12
Minimum Write Recovery Time (tWRmin): 15.000 ns
Minimum Row Active to Row Active Delay (tRRDmin): 6.000 ns
Minimum Active to Active/Refresh Time (tRCmin): 48.125 ns
Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFCmin): 160.000 ns
Minimum Internal Write to Read Command Delay (tWTRmin): 7.500 ns
Minimum Internal Read to Precharge Command Delay (tRTPmin): 7.500 ns
Minimum Four Activate Window Delay Time (tFAWmin): 30.000 ns
[Jellemzők]
Partial Array Self Refresh (PASR): Nem Támogatott
On-die Thermal Sensor (ODTS) Readout: Nem Támogatott
Auto Self Refresh (ASR): Támogatott
Extended Temperature 1X Refresh Rate: Nem Támogatott
Extended Temperature Range: Támogatott
Module Temperature Sensor: Nem Támogatott
Pseudo Target Row Refresh (pTRR): Nem Támogatott
Modul névleges magassága: 29 - 30 mm
Modul maximális vastagsága (elöl): 1 - 2 mm
Modul maximális vastagsága (hátsó): 1 - 2 mm
[Intel Extreme Memory Profile (XMP)]
XMP Revision: 1.2
[Enthusiast / Certified Profile [Enabled]]
VDD modul feszültségszintje: 1.50 V
Memóriavezérlő feszültségszintje: 1.50 V
Támogatott CAS# késések: 6, 9
Minimum SDRAM Cycle Time (tCKmin): 1.250 ns (800.0 MHz)
Minimum CAS Latency Time (tAAmin): 11.250 ns
Minimum RAS# to CAS# Delay Time (tRCDmin): 11.250 ns
Minimum Row Precharge Delay Time (tRPmin): 11.250 ns
Minimum Active to Precharge Delay Time (tRASmin): 35.000 ns
Minimum CAS Write Latency Time (tCWLmin): 11.250 ns
Minimum Write Recovery Time (tWRmin): 15.000 ns
Minimum Active to Active/Refresh Delay Time (tRCmin): 46.250 ns
Maximum tREFI Time (Average Periodic Refresh Interval): 4.000 us
Minimum Refresh Recovery Delay Time (tRFCmin): 160.000 ns
Minimum Internal Read to Precharge Command Delay Time (tRTPmin): 7.500 ns
Minimum Row Active to Row Active Delay Time (tRRDmin): 6.000 ns
Minimum Four Activate Window Delay Time (tFAWmin): 30.0 ns
Minimum Internal Write to Read Command Delay Time (tWTRmin): 7.500 ns
Támogatott modul időzítés 800.0 MHz: 9-9-9-28
Read to Write CMD Turn-around Time Optimization: No adjustment
Write to Read CMD Turn-around Time Optimization: No adjustment
Back 2 Back CMD Turn-around Time Optimization: No adjustment
Rendszerparancs sebesség mód: 2N
[Extreme Profile [Enabled]]
VDD modul feszültségszintje: 1.65 V
Memóriavezérlő feszültségszintje: 1.65 V
Támogatott CAS# késések: 6, 11
Minimum SDRAM Cycle Time (tCKmin): 1.071 ns (933.3 MHz)
Minimum CAS Latency Time (tAAmin): 11.786 ns
Minimum RAS# to CAS# Delay Time (tRCDmin): 11.786 ns
Minimum Row Precharge Delay Time (tRPmin): 11.786 ns
Minimum Active to Precharge Delay Time (tRASmin): 34.000 ns
Minimum CAS Write Latency Time (tCWLmin): 11.786 ns
Minimum Write Recovery Time (tWRmin): 15.000 ns
Minimum Active to Active/Refresh Delay Time (tRCmin): 45.786 ns
Maximum tREFI Time (Average Periodic Refresh Interval): 3.929 us
Minimum Refresh Recovery Delay Time (tRFCmin): 160.000 ns
Minimum Internal Read to Precharge Command Delay Time (tRTPmin): 7.500 ns
Minimum Row Active to Row Active Delay Time (tRRDmin): 6.000 ns
Minimum Four Activate Window Delay Time (tFAWmin): 30.0 ns
Minimum Internal Write to Read Command Delay Time (tWTRmin): 7.500 ns
Támogatott modul időzítés 933.3 MHz: 11-11-11-32
Read to Write CMD Turn-around Time Optimization: No adjustment
Write to Read CMD Turn-around Time Optimization: No adjustment
Back 2 Back CMD Turn-around Time Optimization: No adjustment
Rendszerparancs sebesség mód: 2N