Fizetési megoldás
Hírlevél
TOP termékek
Termékajánló
Látogató számláló
0
0
6
1
5
7
3
Termék részletek


Elixir 4 GB PC3-12800 DDR3 SDRAM RAM modul Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI

Elixir 4 GB PC3-12800 DDR3 SDRAM RAM modul Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI
  • Elixir 4 GB PC3-12800 DDR3 SDRAM RAM modul Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI
  • Elixir 4 GB PC3-12800 DDR3 SDRAM RAM modul Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI
4 953 Ft
Garancia 
:
1 hónap
Elixir 4 GB PC3-12800 DDR3 SDRAM RAM modul Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI
  • Elixir 4 GB PC3-12800 DDR3 SDRAM RAM modul Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI

    Row: 0 - 4 GB PC3-12800 DDR3 SDRAM Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI -----

    [Általános modul információ]
    Modul száma: 0
    Modul mérete: 4 GBytes
    Memória típusa: DDR3 SDRAM
    Modul típusa: Unbuffered DIMM (UDIMM)
    Memória sebesség: 800.0 MHz (DDR3-1600 / PC3-12800)
    Modul gyártója: Nanya Technology
    Modul cikkszáma: M2F4G64CB8HG4N-DI
    Modul felülvizsgálata: 0
    Modul sorozatszáma: 1007640164 (645E0F3C)
    Modul gyártási dátuma: Év: 2014, Hét: 2
    A modul gyártási helye: 13
    SDRAM gyártó: Nanya Technology
    Hiba ellenőrzés/javítás: None
    [Module characteristics]
    Sor cím bitjei: 15
    Oszlop cím bitjei: 10
    Number Of Banks: 8
    Modulsűrűség: 2048 Mb
    Rangsorok száma: 2
    Készülék szélessége: 8 bits
    Bus Width: 64 bits
    Modul névleges feszültsége (VDD): 1.5 V
    [Module timing]
    Minimum SDRAM Cycle Time (tCKmin): 1.250 ns
    Támogatott CAS# késések: 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11
    Minimális CAS# késleltetési idő (tAAmin): 13.125 ns
    Minimális RAS#-tól CAS#-ig terjedő késleltetés (tRCDmin): 13.125 ns
    Minimum Row Precharge Time (tRPmin): 13.125 ns
    Minimum Active to Precharge Time (tRASmin): 35.000 ns
    Támogatott modul időzítés 800.0 MHz: 11-11-11-28
    Támogatott modul időzítés 666.7 MHz: 9-9-9-24
    Támogatott modul időzítés 533.3 MHz: 7-7-7-19
    Támogatott modul időzítés 400.0 MHz: 6-6-6-14
    Támogatott modul időzítés 333.3 MHz: 5-5-5-12
    Minimum Write Recovery Time (tWRmin): 15.000 ns
    Minimum Row Active to Row Active Delay (tRRDmin): 6.000 ns
    Minimum Active to Active/Refresh Time (tRCmin): 48.125 ns
    Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFCmin): 160.000 ns
    Minimum Internal Write to Read Command Delay (tWTRmin): 7.500 ns
    Minimum Internal Read to Precharge Command Delay (tRTPmin): 7.500 ns
    Minimum Four Activate Window Delay Time (tFAWmin): 30.000 ns
    [Jellemzők]
    Partial Array Self Refresh (PASR): Nem Támogatott
    On-die Thermal Sensor (ODTS) Readout: Nem Támogatott
    Auto Self Refresh (ASR): Támogatott
    Extended Temperature 1X Refresh Rate: Nem Támogatott
    Extended Temperature Range: Támogatott
    Module Temperature Sensor: Nem Támogatott
    Pseudo Target Row Refresh (pTRR): Nem Támogatott
    Modul névleges magassága: 29 - 30 mm
    Modul maximális vastagsága (elöl): 1 - 2 mm
    Modul maximális vastagsága (hátsó): 1 - 2 mm

    Row: 2 - 4 GB PC3-12800 DDR3 SDRAM Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI -----

    [Általános modul információ]
    Modul száma: 2
    Modul mérete: 4 GBytes
    Memória típusa: DDR3 SDRAM
    Modul típusa: Unbuffered DIMM (UDIMM)
    Memória sebesség: 800.0 MHz (DDR3-1600 / PC3-12800)
    Modul gyártója: Nanya Technology
    Modul cikkszáma: M2F4G64CB8HG4N-DI
    Modul felülvizsgálata: 0
    Modul sorozatszáma: 1058047601 (7186103F)
    Modul gyártási dátuma: Év: 2014, Hét: 2
    A modul gyártási helye: 13
    SDRAM gyártó: Nanya Technology
    Hiba ellenőrzés/javítás: None
    [Module characteristics]
    Sor cím bitjei: 15
    Oszlop cím bitjei: 10
    Number Of Banks: 8
    Modulsűrűség: 2048 Mb
    Rangsorok száma: 2
    Készülék szélessége: 8 bits
    Bus Width: 64 bits
    Modul névleges feszültsége (VDD): 1.5 V
    [Module timing]
    Minimum SDRAM Cycle Time (tCKmin): 1.250 ns
    Támogatott CAS# késések: 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11
    Minimális CAS# késleltetési idő (tAAmin): 13.125 ns
    Minimális RAS#-tól CAS#-ig terjedő késleltetés (tRCDmin): 13.125 ns
    Minimum Row Precharge Time (tRPmin): 13.125 ns
    Minimum Active to Precharge Time (tRASmin): 35.000 ns
    Támogatott modul időzítés 800.0 MHz: 11-11-11-28
    Támogatott modul időzítés 666.7 MHz: 9-9-9-24
    Támogatott modul időzítés 533.3 MHz: 7-7-7-19
    Támogatott modul időzítés 400.0 MHz: 6-6-6-14
    Támogatott modul időzítés 333.3 MHz: 5-5-5-12
    Minimum Write Recovery Time (tWRmin): 15.000 ns
    Minimum Row Active to Row Active Delay (tRRDmin): 6.000 ns
    Minimum Active to Active/Refresh Time (tRCmin): 48.125 ns
    Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFCmin): 160.000 ns
    Minimum Internal Write to Read Command Delay (tWTRmin): 7.500 ns
    Minimum Internal Read to Precharge Command Delay (tRTPmin): 7.500 ns
    Minimum Four Activate Window Delay Time (tFAWmin): 30.000 ns
    [Jellemzők]
    Partial Array Self Refresh (PASR): Nem Támogatott
    On-die Thermal Sensor (ODTS) Readout: Nem Támogatott
    Auto Self Refresh (ASR): Támogatott
    Extended Temperature 1X Refresh Rate: Nem Támogatott
    Extended Temperature Range: Támogatott
    Module Temperature Sensor: Nem Támogatott
    Pseudo Target Row Refresh (pTRR): Nem Támogatott
    Modul névleges magassága: 29 - 30 mm
    Modul maximális vastagsága (elöl): 1 - 2 mm
    Modul maximális vastagsága (hátsó): 1 - 2 mm
  • Cikkszám
    M2F4G64CB8HG4N-DI
    Tömeg
    20 g/db
    A vásárlás után járó pontok
    15 Ft
Webáruház készítés